Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2N6661JTXL02
MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-205AD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2N6661
2N6661JTXL02 Hakkında
2N6661JTXL02, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-39 metal kılıflı paket içinde sunulan bu bileşen, 90V drain-source gerilimi ve 860mA maksimum drain akımına sahiptir. 10V gate geriliminde 4Ω RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç amplifikatörleri, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve genel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 725mW (Ta) güç tüketimi ile sınırlandırılmıştır. Ürün şu anda üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 860mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 90 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 725mW (Ta), 6.25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-39 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok