Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2N6661JTX02

MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-205AD
Seri / Aile Numarası
2N6661

2N6661JTX02 Hakkında

2N6661JTX02, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 90V drain-source gerilimi ve 860mA sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güçlü anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-39 metal kutu paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 5V ve 10V gate gerilimlerinde 4Ω maksimum Rds(on) değeri ile düşük çalışma kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 860mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 90 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package TO-39
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok