Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2N6661JAN02
MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-205AD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2N6661
2N6661JAN02 Hakkında
2N6661JAN02, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. TO-39 metal kasa içinde sunulan bu komponent, 90V Drain-Source geriliminde 860mA sürekli drenaj akımı sağlayabilir. 4Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük dirençli anahtarlama uygulamaları için uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 725mW (Ta) güç tüketebilir. ±20V Vgs sürme gerilimi ve 2V kapı eşik gerilimi ile genel amaçlı anahtarlama, amplifikasyon ve kontrolü gerektiren endüstriyel, otomotiv ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. Parça obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 860mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 90 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 725mW (Ta), 6.25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-39 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok