Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2N6661

MOSFET N-CH 90V 900MA TO39

Üretici
Solid State Inc.
Paket/Kılıf
TO-205AD
Seri / Aile Numarası
2N6661

2N6661 Hakkında

2N6661, Solid State Inc. tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 90V drain-source gerilimi ve 900mA sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-39 metal kutu paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. 10V gate geriliminde 4mOhm on-resistance değeri, düşük kayıp uygulamaları için uygun özellikler sağlar. 6.25W maksimum güç tüketimi kapasitesine sahip olan 2N6661, anahtarlama devreleri, güç yönetimi ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. 50pF maksimum giriş kapasitansi, hızlı anahtarlama işlemleri için avantajlı özellikleri içerir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 900mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 90 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 1A, 10V
Supplier Device Package TO-39
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±40V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok