Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2N6661-E3
MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-205AD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2N6661
2N6661-E3 Hakkında
2N6661-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 90V drain-source gerilimi ve 860mA sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-39 metal kutusu paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 4Ω maksimum RDS(On) değeri ile anahtarlama devrelerinde, sinyal işleme ve gerilim kontrol uygulamalarında yer bulur. Vgs(th) eşik gerilimi 2V olup, ±20V maksimum gate-source gerilimini destekler. Düşük kapasitans özellikleri sayesinde hızlı komutasyon gerektiren sistemlerde tercih edilir. Bileşen günümüzde üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 860mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 90 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 725mW (Ta), 6.25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-39 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok