Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2N6661-2
MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-205AD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2N6661
2N6661-2 Hakkında
2N6661-2, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 90V drain-source gerilimi (Vdss) ve 860mA sürekli drain akımı ile karakterize edilir. TO-39 metal kaplı kasa içerisinde sunulan bu komponentin maksimum RDS(on) değeri 10V gerilimde 4Ω'dur. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve düşük güç uygulamalarında kullanılan genel amaçlı MOSFET transistördür. Maksimum 6.25W güç dağılımı kapasitesi bulunmaktadır. 50pF input capacitance (Ciss) değerine sahiptir. Ürün statüsü olarak artık üretilmemektedir (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 860mA (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 90 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 725mW (Ta), 6.25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-39 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok