Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

2N6660

MOSFET N-CH 60V 410MA TO39

Paket/Kılıf
TO-205AD
Seri / Aile Numarası
2N6660

2N6660 Hakkında

2N6660, Microchip Technology tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 410mA sürekli dren akımı ile tasarlanan bu komponentin maksimum güç tüketimi 6.25W'tır. TO-39 metal kanister paketinde sunulan 2N6660, 5V-10V sürücü geriliminde 3Ohm'luk RDS(on) direnci ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığı sayesinde çeşitli endüstriyel ve tüketici elektronikleri uygulamalarında uygulanabilir. Düşük gate kapasitansı (50pF @ 24V) hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 410mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 24 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package TO-39
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok