Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
25P06
P60V,RD(MAX)<45M@-10V,VTH2V~3V T
- Üretici
- Goford Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 25P06
25P06 Hakkında
25P06, Goford Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 25A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate geriliminde 45mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate eşik gerilimi 2-3V aralığındadır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 100W güç dağıtabilen bir komponenttir. 37nC gate yükü ve 3384pF input kapasitansı ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3384 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok