Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2301H
P30V,RD(MAX)<130M@-4.5V,RD(MAX)<
- Üretici
- Goford Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2301H
2301H Hakkında
2301H, Goford Semiconductor tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj desteği ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. Maksimum 2A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir ve 125mOhm on-resistance değeri ile anahtarlama devrelerinde düşük kayıp sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Audio amplifikatörler, DC-DC dönüştürücüler, yük anahtarlaması ve genel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 12nC gate charge ve 405pF input kapasitansi hızlı komütasyona olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 2.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 405 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok