Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
2301
P20V,RD(MAX)<56M@-4.5V,RD(MAX)<8
- Üretici
- Goford Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 2301
2301 Hakkında
Goford Semiconductor tarafından üretilen 2301, P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj (Vdss) ve 3A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 56mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük iletim direncine sahip olup, 4.5V drive voltajında çalışır. SOT-23-3 yüzey montajlı paket tipinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 1W maksimum güç tüketimi ve 12nC gate charge karakteristiği ile analog anahtarlama, güç yönetimi ve sinyal kontrol uygulamalarında kullanılan bir anahtar elemanıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 2.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 405 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56mOhm @ 1.7A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok