Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

1HN04CH-TL-W

MOSFET N-CH 100V 270MA 3CPH

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
1HN04CH

1HN04CH-TL-W Hakkında

1HN04CH-TL-W, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi (Vdss) ve 270mA sürekli drain akımı (Id) ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 8Ω maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. Gate gerilimi ±20V aralığında çalışır ve 2.6V eşik gerilimi (Vgs th) ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında endüstriyel ve tüketici elektroniklerinde PWM denetleyicileri, analog anahtarlar ve küçük güçlü motor sürücü devrelerinde uygulanır. Parça kullanım dışı (Obsolete) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 270mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 140mA, 10V
Supplier Device Package 3-CPH
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok