Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
ZXTS1000NE6TA
TRANS PNP SW LOW SAT SOT23-6
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6
- Seri / Aile Numarası
- ZXTS1000
ZXTS1000NE6TA Hakkında
ZXTS1000NE6TA, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, entegre diod yapısı içermektedir. SOT-23-6 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 1.25A collector akımı ve 12V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışmaktadır. 220MHz transition frequency ve 240mV saturation voltajı ile anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. DC current gain (hFE) 500mA, 2V'de minimum 200 değerinde belirtilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında ve maksimum 885mW güç tüketimiyle, düşük sinyal seviyesinde ve güç anahtarlama devrelerinde kullanılan genel amaçlı transistördür. Bileşen şu an üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1.25 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 2V |
| Frequency - Transition | 220MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 885 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-6 |
| Transistor Type | PNP + Diode (Isolated) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 240mV @ 100mA, 1.25A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok