Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

ZXTP2008GTA

TRANS PNP 30V 5.5A SOT223

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
ZXTP2008

ZXTP2008GTA Hakkında

ZXTP2008GTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount paketleme ile sunulmaktadır. 5.5A kolektör akımı ve 30V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 110MHz transition frequency sayesinde hızlı anahtarlama işlemlerini destekler. 3W maksimum güç tüketimi ile motor kontrolü, güç anahtarlama devreleri, ses amplifikatörleri ve genel amaçlı switching uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilmesi endüstriyel ortamlara uygunluğunu sağlar. TO-261-4 (SOT-223-3) paketinde temin edilen bu transistör, kompakt tasarımlar ve yüksek entegrasyon gerektiren uygulamalar için ekonomik bir çözümdür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 5.5 A
Current - Collector Cutoff (Max) 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition 110MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power - Max 3 W
Supplier Device Package SOT-223-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 210mV @ 500mA, 5.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok