Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

ZXTP03200BGTA

TRANS PNP 200V 2A

Paket/Kılıf
TO-261-4
Seri / Aile Numarası
ZXTP03200

ZXTP03200BGTA Hakkında

ZXTP03200BGTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). 200V Vce breakdown voltajı ve 2A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.25W güç dissipasyonuna sahip olan bu transistör, DC akım kazancı (hFE) 1A ve 5V Vce'de minimum 100'dür. 105MHz transition frekansı sayesinde anahtarlama ve küçük sinyal amplifikasyon devrelerinde yer alabilir. 275mV Vce saturation voltajı ile düşük güç kaybında çalışır. -55°C ile +150°C arasında çalışan SOT-223-3 paketli bileşen, güç yönetimi, aydınlatma kontrol, motor sürücü ve enerji dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 2 A
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition 105MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Part Status Active
Power - Max 1.25 W
Supplier Device Package SOT-223-3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 275mV @ 400mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok