Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
ZXTN5551GTA
TRANS NPN 160V 0.6A SOT223
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Seri / Aile Numarası
- ZXTN5551
ZXTN5551GTA Hakkında
ZXTN5551GTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür. 160V maksimum collector-emitter voltajı ve 600mA collector akımı ile orta güç uygulamalarına uygun olarak tasarlanmıştır. 2W maksimum güç dağıtma kapasitesi ile endüstriyel kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve genel amaçlı amplifikasyon işlemlerinde kullanılabilir. 130MHz transition frequency sayesinde hızlı anahtarlama gerektiren devrelerde tercih edilir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığı geniş ortam koşullarında güvenilir performans sağlar. SOT-223 yüzey montajlı paket kompakt tasarımlar için idealdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 130MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2 W |
| Supplier Device Package | SOT-223-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok