Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
ZXTN25100DGTA
TRANS NPN 100V 3A SOT223
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Seri / Aile Numarası
- ZXTN25100
ZXTN25100DGTA Hakkında
ZXTN25100DGTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 3A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarına uygundur. 3W güç kapasitesi ve 175MHz transition frequency ile DC ve AC sinyal işleme devrelerinde kullanılabilir. SOT-223 yüzey montajlı paket tipi sayesinde kompakt tasarımlar için idealdir. -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Anahtarlama, amplifikasyon ve genel amaçlı transistör uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 10mA, 2V |
| Frequency - Transition | 175MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3 W |
| Supplier Device Package | SOT-223-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 600mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok