Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
ZXTN25100DGQTA
IC PWR TRANSISTOR SOT223
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Seri / Aile Numarası
- ZXTN25100
ZXTN25100DGQTA Hakkında
ZXTN25100DGQTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistörü (BJT) olup, SOT-223 (TO-261-4) yüzey monte paketinde sunulmaktadır. Maksimum 3A collector akımı ve 100V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanım için tasarlanmıştır. 175MHz transition frequency ve 300 minimum DC current gain (hFE) ile hızlı anahtarlama ve güvenilir akım kazancı sağlar. 1.2W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile düşük sıcaklık katsayısı sunan bu transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Ses amplifikasyonu, motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı güç uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 10mA, 2V |
| Frequency - Transition | 175MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.2 W |
| Supplier Device Package | SOT-223-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 600mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok