Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
ZXTN25012EFLTA
TRANS NPN 12V 2A SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- ZXTN25012
ZXTN25012EFLTA Hakkında
ZXTN25012EFLTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 (SC-59) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 12V kollektör-emitter gerilimi ve 2A kollektör akımı ile çalışır. 260MHz transition frequency ve 500 minimum DC current gain (hFE) özellikleri ile orta frekanslı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 350mW maksimum güç derecelendirmesi ile bu bileşen, ses amplifikatörleri, sinyal anahtarlaması, düşük güçlü RF uygulamaları ve genel amaçlı dijital devre kontrol uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı, endüstriyel ve ticari uygulamalara uygunluk sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 500 @ 10mA, 2V |
| Frequency - Transition | 260MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 350 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 100mA, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok