Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
ZXTN2018FQTA
PWR LOW TRANSISTOR SOT23
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- ZXTN2018
ZXTN2018FQTA Hakkında
ZXTN2018FQTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen düşük güçlü NPN BJT transistördür. SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 5A maksimum collector akımı ve 1W güç disipasyon kapasitesine sahiptir. 60V collector-emitter breakdown voltajı ile orta gerilim uygulamalarında kullanılabilir. 130MHz transition frequency değeri ile gerilim amplifikasyonu ve düşük hızlı switching uygulamalarında tercih edilir. Düşük saturasyon voltajı (210mV) ve 100 minimum DC current gain özellikleri sayesinde güç anahtarlama, motor kontrolü ve genel amaçlı amplifikasyon devrelerinde yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 2A, 1V |
| Frequency - Transition | 130MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 210mV @ 300mA, 6A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok