Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
ZXTN2010GTA
TRANS NPN 60V 6A SOT223
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Seri / Aile Numarası
- ZXTN2010
ZXTN2010GTA Hakkında
ZXTN2010GTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. 60V collector-emitter gerilim dayanımı ve 6A maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarına uygundur. 3W güç disipasyonu kapasitesi ve 130MHz transition frekansı ile güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve ses amplifikatörlerinde kullanılabilir. SOT-223 yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. 100 minimum DC gain (hFE) değeri ve 260mV doyum gerilimi ile verimli anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 2A, 1V |
| Frequency - Transition | 130MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3 W |
| Supplier Device Package | SOT-223-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 260mV @ 300mA, 6A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok