Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

ZXTN2010A

TRANS NPN 60V 4.5A TO92-3

Paket/Kılıf
TO-220-3 Full Pack
Seri / Aile Numarası
ZXTN2010A

ZXTN2010A Hakkında

ZXTN2010A, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 kılıfında sunulan bu transistör, 60V maksimum collector-emitter gerilimi ve 4.5A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 130MHz transition frequency ile moderate hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 100 minimum DC akım kazancı (hFE) ile düşük girdi akımında bile etkili amplifikasyon sağlar. 210mV saturation voltajı ile düşük kayıplı anahtarlama sağlayarak güç tüketimini minimalize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, endüstriyel ve ticari sıcaklık aralığında kullanılan devreler için elverişlidir. Genel amaçlı amplifikasyon, anahtarlama ve işaret işleme uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 4.5 A
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition 130MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case E-Line-3
Part Status Active
Power - Max 1 W
Supplier Device Package E-Line (TO-92 compatible)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 210mV @ 200mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok