Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
ZXMN6A25DN8TA
MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- ZXMN6A25DN8TA
ZXMN6A25DN8TA Hakkında
ZXMN6A25DN8TA, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. 60V drain-source gerilimi ve 3.8A sürekli drain akımı ile çalışabilen bu bileşen, Logic Level Gate özelliğine sahiptir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan transistör, 50mOhm on-resistance değeri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bileşen, 1.8W maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır. Düşük gate charge değeri (20.4nC @ 10V) hızlı komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.4nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1063pF @ 30V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 3.6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok