Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

ZXMN6A11DN8TC

MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
ZXMN6A11DN8TC

ZXMN6A11DN8TC Hakkında

ZXMN6A11DN8TC, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. 60V drain-source voltaj ve 2.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliği ile 10V gate voltajında çalışır ve 120mOhm RDS(on) değerine sahiptir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol, güç yönetimi devreleri ve düşük voltaj güç dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Maksimum 1.8W güç tüketimi ile kompakt tasarımlar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 40V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 1.8W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 2.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok