Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
ZXMN6A11DN8TA
MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- ZXMN6A11DN8TA
ZXMN6A11DN8TA Hakkında
ZXMN6A11DN8TA, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. 60V drain-source gerilim ve 2.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. Logic Level Gate özelliğine sahip bu komponent, 1V threshold voltajı ile düşük gerilim kontrol sinyalleriyle çalıştırılabilir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan ZXMN6A11DN8TA, 120mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. DC motor kontrolü, güç denetimi, LED sürücüsü ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Düşük gate charge (5.7nC) özelliği hızlı anahtarlama işlemlerini mümkün kılar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.7nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 40V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok