Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

ZXMN6A09DN8TC

MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
ZXMN6A09DN8TC

ZXMN6A09DN8TC Hakkında

ZXMN6A09DN8TC, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj aralığında 4.3A sürekli drain akımı sağlayan bu komponent, logic level gate girişi ile düşük voltaj kontrolü gerektiren uygulamalara uygundur. 40mΩ (@ 10V Vgs) on-resistance değeri ile düşük güç tüketimi sağlar. Surface mount 8-SO paketinde gelen ZXMN6A09DN8TC, motor kontrol, güç yönetimi, anahtar devreler ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında reliable performans sunar. Düşük input kapasitans (1407pF @ 40V) hızlı anahtarlama özelliği ile devre tasarımlarında esneklik sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.3A
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24.2nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1407pF @ 40V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 1.25W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 8.2A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok