Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
ZXMN6A09DN8TA
MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- ZXMN6A09DN8TA
ZXMN6A09DN8TA Hakkında
ZXMN6A09DN8TA, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 4.3A sürekli drain akımı ile çalışan bu komponentin maksimum güç kapasitesi 1.25W'tır. Logic level gate özelliği ile 5V ile tetiklenebilir. RDS(on) değeri 10V, 8.2A koşullarında 40mOhm'dur. Threshold voltajı (Vgs(th)) 250µA akımda maksimum 3V'tur. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu çift transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve genel amaçlı dijital lojik sürücü uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24.2nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1407pF @ 40V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.25W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 8.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok