Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
ZXMN3G32DN8TA
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- ZXMN3G32DN8TA
ZXMN3G32DN8TA Hakkında
ZXMN3G32DN8TA, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj ve 5.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. Logic level gate özelliği ile düşük gate sürüş voltajında çalışabilir. 8-SO (SO-8) yüzey montaj paketinde sunulur. Düşük on-state direnci (28mOhm @ 10V, 6A) sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimli performans sağlar. Motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve genel anahtarlama devrelerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve 1.8W maksimum gücü destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 472pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok