Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
ZXMN3F31DN8TA
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- ZXMN3F31DN8TA
ZXMN3F31DN8TA Hakkında
ZXMN3F31DN8TA, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 5.7A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanan bu bileşen, logic level gate sürüsü özelliğine sahiptir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan transistör, 10V gate geriliminde 24mOhm on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge değeri 12.9nC olup input kapasitanası 608pF'dir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılan güvenilir bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.9nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 608pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok