Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
ZXMN3A06DN8TA
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- ZXMN3A06DN8TA
ZXMN3A06DN8TA Hakkında
ZXMN3A06DN8TA, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. 30V drain-source gerilimi ve 4.9A sürekli drenaj akımı ile çalışan bu bileşen, logic level gate özelliğine sahiptir. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile sunulan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 35mΩ RDS(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge 17.5nC ve input capacitance 796pF dir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörler, motor sürücüleri ve güç yönetimi devrelerinde kullanılan bu çift transistör, düşük sürücü gücü gereksinimi olan tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 796pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok