Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

ZXMN2A04DN8TC

MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
ZXMN2A04DN8TC

ZXMN2A04DN8TC Hakkında

ZXMN2A04DN8TC, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltajı ve 5.9A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. Logic level gate özelliğine sahip bu transistör, 4.5V beslemede 25mOhm on-resistance değeri ile verimli çalışma sağlar. Surface mount 8-SO paket tipi ile kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 150°C arasındaki sıcaklık aralığında çalışabilir. Kontrol devreleri, motor sürücüler ve DC-DC dönüştürücüler gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Not: Bu ürün üretimden kaldırılmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.9A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.1nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1880pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 1.8W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok