Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

ZXMN2A04DN8TA

MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
ZXMN2A04DN8TA

ZXMN2A04DN8TA Hakkında

ZXMN2A04DN8TA, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. 20V Vdss ile çalışan bu bileşen, 5.9A sürekli dren akımı ve 25mΩ Rds(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliğine sahip olan transistör, 4.5V Vgs geriliminde aktif konuma geçer. 8-SOIC yüzey montaj paketi içeren ZXMN2A04DN8TA, güç yönetimi, motor kontrol ve LED sürücü devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, maksimum 1.8W güç yönetimini desteklemektedir. Düşük gate charge (22.1nC @ 5V) değeri hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.9A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22.1nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1880pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power - Max 1.8W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok