Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

ZXMN10A08DN8TC

MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
ZXMN10A08DN8TC

ZXMN10A08DN8TC Hakkında

ZXMN10A08DN8TC, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. Logic level gate özelliğine sahip bu komponent, 100V drain-source gerilim ve 1.6A sürekli drain akımı ile çalışabilir. 8-pinli SOIC yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 250mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve genel amaçlı anahtarlama işlemlerinde kullanılır. Hızlı anahtarlama karakteristiği ve düşük kapasitans değerleri ile yüksek frekanslı devrelerde tercih edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.6A
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 405pF @ 50V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 1.25W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 3.2A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA (Min)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok