Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
ZXMN10A08DN8TA
MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- ZXMN10A08
ZXMN10A08DN8TA Hakkında
ZXMN10A08DN8TA, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. 100V drain-source gerilimi ve 1.6A sürekli drenaj akımı ile karakterize edilen bu bileşen, logic level gate kontrolü sağlar. 250mΩ RDS(on) ile düşük konduktans kaybı sunar. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları, DC-DC konvertörleri ve motor kontrolü gibi alanlarda kullanılır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 405pF @ 50V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.25W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 3.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok