Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
ZXMHC6A07N8TC
MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- ZXMHC6A07N
ZXMHC6A07N8TC Hakkında
ZXMHC6A07N8TC, Diodes Incorporated tarafından üretilen 2N/2P-CH H-Bridge konfigürasyonlu MOSFET dizi bileşenidir. 60V drain-source gerilim desteği ve Logic Level Gate kontrolü ile çalışır. Bileşen, 1.39A ve 1.28A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olup, 250mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. Gate Charge değeri 3.2nC olup hızlı anahtarlama işlemlerine olanak tanır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu MOSFET, motor sürücüleri, H-bridge uygulamaları, ses amplifikatörleri ve güç anahtarlama devrelerinde kullanılır. 8-SOIC yüzey montajı paketi ile kompakt tasarım imkanı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.39A, 1.28A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.2nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 166pF @ 40V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 870mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 1.8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok