Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

ZXMHC10A07N8TC

MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
ZXMHC10A07N

ZXMHC10A07N8TC Hakkında

ZXMHC10A07N8TC, Diodes Incorporated tarafından üretilen 2N/2P-Channel H-Bridge MOSFET dizisidir. 100V drain-source geriliminde çalışan bu bileşen, 800mA ve 680mA sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 700mOhm maksimum RDS(on) değeriyle düşük güç kaybı sağlar. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında güvenli şekilde çalışır. H-Bridge yapısı sayesinde motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve DC motor sürücü devrelerinde kullanılır. Maksimum 870mW güç dağılımı kapasitesine sahiptir. 2.9nC kapı yükü ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 800mA, 680mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
FET Feature Standard
FET Type 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 138pF @ 60V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power - Max 870mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok