Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

ZXMD65P02N8TA

MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
ZXMD65P02N8

ZXMD65P02N8TA Hakkında

ZXMD65P02N8TA, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltajı ve 4A maksimum sürekli drain akımı ile karakterize edilir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 50mOhm on-resistance değeri ve düşük gate charge özellikleriyle anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Güç yönetimi, load switching ve analog sinyal yönlendirme gibi düşük güç uygulamalarında tercih edilir. 1.75W maksimum güç dissipasyonu kapasitesi vardır. Dikkat: Bu parça obsolete durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Standard
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 960pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Part Status Obsolete
Power - Max 1.75W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2.9A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok