Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
ZXMC6A09DN8TA
MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- ZXMC6A09DN8
ZXMC6A09DN8TA Hakkında
ZXMC6A09DN8TA, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N ve P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj derecesi ile endüstriyel ve tüketici uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük voltajlı kontrol devreleriyle doğrudan uyumludur. 3.9A/3.7A sürekli drain akımı kapasitesi ve 45mOhm RDS(on) değeri ile güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.9A, 3.7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24.2nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1407pF @ 40V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.8W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 8.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok