Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

ZXMC4559DN8TA

MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
ZXMC4559

ZXMC4559DN8TA Hakkında

ZXMC4559DN8TA, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N/P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilim sınırlaması ile güç yönetimi, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gerilim kontrol sinyalleriyle çalışabilir. 8-SO yüzeye monte pakette sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrolörleri, LED sürücüleri ve tüketici elektroniği uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 55mOhm maksimum on-state direnç, 3.6A/2.6A sürekli dren akımı ve 20.4nC gate charge ile verimli anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A, 2.6A
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1063pF @ 30V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power - Max 1.25W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok