Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

ZXMC3A18DN8TA

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
ZXMC3A18DN

ZXMC3A18DN8TA Hakkında

ZXMC3A18DN8TA, Diodes Incorporated tarafından üretilen bir N-channel ve P-channel MOSFET dizisi bileşenidir. 30V drain-source voltaj desteği ve 5.8A/4.8A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gate voltajları ile tetiklenebilir. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve genel amaçlı dijital mantık devrelerinde yer alır. Maksimum 1.8W güç dağıtımı kapasitesi ve 25mΩ RDS(on) değeriyle verimli çalışır. -55°C ile +150°C aralığında işletim desteği vardır. Bileşen artık üretilmemektedir (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.8A, 4.8A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 1.8W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 5.8A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok