Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

ZXMC3A17DN8TC

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
ZXMC3A17DN

ZXMC3A17DN8TC Hakkında

ZXMC3A17DN8TC, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual MOSFET transistör entegre devresinde N-channel ve P-channel FET'ler bir pakette yer almaktadır. 8-pin SO (SOIC) kaseye yerleştirilmiş bu bileşen, 30V Drain-Source voltaj seviyesi için tasarlanmıştır. Logic level gate kontrol özelliği sayesinde düşük voltajlı sinyal seviyeleriyle çalışabilir. 4.1A ve 3.4A sürekli dren akımı kapasitesi bulunmakta olup, 50mOhm RDS(on) değeriyle anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. Maksimum 1.25W güç harcama sınırı ile tasarlanmıştır. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, aydınlatma sürücüleri ve genel anahtar uygulamalarında tercih edilir. 12.2nC gate charge ve 600pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.1A, 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 1.25W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 7.8A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok