Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

ZXMC3A17DN8TA

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Paket/Kılıf
8-SO
Seri / Aile Numarası
ZXMC3A17DN8TA

ZXMC3A17DN8TA Hakkında

ZXMC3A17DN8TA, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N ve P-channel MOSFET dizisidir. 30V drain-source gerilim kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Logic level gate özelliğine sahip olup, 10V gate geriliminde maksimum 12.2nC gate charge değerine sahiptir. Rds(on) değeri 10V, 7.8A koşullarında 50mOhm'dur. 8-SOIC SMD paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışır. 1.25W maksimum güç tüketimi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, özellikle power management, motor sürücüleri ve güç kaynağı devreleri tasarımlarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.1A, 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power - Max 1.25W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 7.8A, 10V
Supplier Device Package 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok