Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
ZX5T851GTA
TRANS NPN 60V 6A SOT223
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Seri / Aile Numarası
- ZX5T851G
ZX5T851GTA Hakkında
ZX5T851GTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). 60V collector-emitter breakdown voltajı ve 6A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-261-4 (SOT-223-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 3W güç kapasitesine sahiptir. 130MHz transition frequency ve 100 (minimum) DC current gain (hFE) ile anahtarlama ve amplifikasyon devreleri, motor sürücüleri, güç yönetimi uygulamaları, LED sürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile +150°C işletme sıcaklık aralığında çalışmaya uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 2A, 1V |
| Frequency - Transition | 130MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 3 W |
| Supplier Device Package | SOT-223-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 260mV @ 300mA, 6A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok