Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
ZX3CDBS1M832TA
TRANS NPN 20V 4.5A 3X2MM 8MLP
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-VDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- ZX3CDBS1M
ZX3CDBS1M832TA Hakkında
ZX3CDBS1M832TA, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar transistör ve izole edilmiş diyot kombinasyonudur. 3x2mm boyutundaki 8-VDFN Exposed Pad paketinde sunulan bu komponent, 20V collector-emitter breakdown voltajı ve 4.5A maksimum collector akımı ile çalışır. 140MHz transition frequency ve 200 (minimum) DC current gain özellikleriyle, düşük sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. Maksimum 3W güç tüketimi kapasitesiyle kompakt elektronik devrelerde, özellikle mobil cihazlar, Power Management IC'leri ve RF amplifikatör tasarımlarında tercih edilir. SMD montaj türü sayesinde yüksek yoğunluklu PCB layout'larına entegre edilebilir. Cihaz %150°C junction sıcaklığına kadar çalışabilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4.5 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 25nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2A, 2V |
| Frequency - Transition | 140MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-VDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 3 W |
| Supplier Device Package | 8-MLP (3x2) |
| Transistor Type | NPN + Diode (Isolated) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 270mV @ 125mA, 4.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok