Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
WNSC6D20650WQ
SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE I
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-247-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- WNSC6D20650WQ
WNSC6D20650WQ Hakkında
WNSC6D20650WQ, WeEn Semiconductors tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 650V ters voltaj ve 20A ortalama doğrultma akımı kapasitesine sahiptir. Schottky yapısı sayesinde 1.4V'luk düşük forward voltage değeri ve zero reverse recovery time özelliği ile yüksek verimlilik sağlar. TO-247-2 through-hole paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında, PFC devreleri, anahtarlı güç kaynakları ve inverter uygulamalarında kullanılır. 175°C'ye kadar junction sıcaklığında çalışabilir ve 1.2nF kapasitans değerine sahiptir. 100µA ters kaçak akımı ile güvenilir çalışma performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 1.2nF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 20A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
| Package / Case | TO-247-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-247-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4 V @ 20 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok