Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
WNSC6D10650Q
SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE I
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- WNSC6D10650Q
WNSC6D10650Q Hakkında
WNSC6D10650Q, WeEn Semiconductors tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky diyottur. 650V ters gerilim ve 10A ortalama doğrultma akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek verimli güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. TO-220-2 paketinde sunulan diyot, 1.4V (10A'de) ileri gerilim karakteristiği ile düşük enerji kaybı sağlar. Reverse recovery time'ı 0 ns olması, anahtarlama hızını artırır ve sürücü devrelerinin tasarımını basitleştirir. 175°C'ye kadar işletme sıcaklığını destekleyerek endüstriyel ve oto uygulamalarında güvenilir performans sunar. PFC (Power Factor Correction) devreleri, SMPS ve inverter topologylerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 500pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220AC |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok