Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
WNSC6D08650Q
SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE I
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- WNSC6D08650Q
WNSC6D08650Q Hakkında
WNSC6D08650Q, WeEn Semiconductors tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky doğrultucu diyottur. 650V ters voltaj ve 8A ortalama doğrultma akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Schottky teknolojisinin avantajı olarak sıfır geri kazanım süresi (trr: 0 ns) ve düşük iletimdeki voltaj düşüşü (1.4V @ 8A) sunmaktadır. TO-220-2 paketinde monte edilmiş olup, 175°C'ye kadar çalışabilen bu bileşen, güç kaynakları, invertörler, AC/DC dönüştürücüler ve yüksek frekanslı anahtarlama devrelerinde uygulanabilir. 1MHz'de 402pF kapasitansı ve 650V'de 50µA ters kaçak akımı ile stabilize çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 402pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220AC |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4 V @ 8 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok