Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
WNSC6D04650Q
SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE I
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-220-2
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- WNSC6D04650Q
WNSC6D04650Q Hakkında
WNSC6D04650Q, WeEn Semiconductors tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 650V ters gerilim kapasitesine sahip bu doğrultucu diyot, 4A ortalama doğrultulmuş akım ile çalışabilir. TO-220-2 paketinde sunulan bileşen, 175°C'ye kadar işletme sıcaklığında kullanılabilir. Ters kurtarma süresi sıfır nanosaniye olup, yüksek frekans uygulamalarında anahtarlama kayıplarını minimize eder. 1.4V ön gerilim düşümü ve 30µA @ 650V ters sızıntı akımı ile verimli çalışır. Güç kaynakları, invertörler, UPS sistemleri ve yüksek frekans AC/DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 233pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 4A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 30 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220AC |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4 V @ 4 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok