Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
WNSC401200CWQ
SILICON CARBIDE POWER DIODE
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- WNSC401200CWQ
WNSC401200CWQ Hakkında
WNSC401200CWQ, WeEn Semiconductors tarafından üretilen 1200V Silicon Carbide Schottky güç diyotudur. 40A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ve 1.75V forward voltajı ile yüksek verimli uygulamalar için tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, sıfır reverse recovery time (trr) özelliği ile anahtarlama kayıplarını minimize eder. 175°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen diyot, güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. 200µA @ 1200V ters sızıntı akımı ve 810pF kapasitansı ile güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 810pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 40A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.75 V @ 20 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok