Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
WNSC2D16650CJQ
DUAL SILICON CARBIDE SCHOTTKY DI
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- WNSC2D16650CJ
WNSC2D16650CJQ Hakkında
WNSC2D16650CJQ, WeEn Semiconductors tarafından üretilen dual Silicon Carbide Schottky diyot dizisidir. TO-3P-3 (SC-65-3) kasa tipinde sunulan bu komponent, 650V ters voltaj ve diyot başına 16A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesiyle çalışır. Common cathode konfigürasyonuna sahip yapısı uygulamalarda kolaylık sağlar. 1.7V ön yönlü voltaj düşümü (8A'de) ve sıfır reverse recovery time özelliği ile güç dönüştürme devreleri, invertörler, UPS sistemleri ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. İleri iletim karakteristikleri ve düşük ters sızıntı akımı (650V'de 40µA) sayesinde verimli çalışma sağlar. 175°C maksimum junction sıcaklığında güvenli işletme yapılabilir. Through-hole montaj tipi, geleneksel PCB tasarımlarında uygulanmak üzere tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 16A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 650 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok