Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
WNSC2D10650XQ
SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-220-2 Full Pack
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- WNSC2D10650XQ
WNSC2D10650XQ Hakkında
WNSC2D10650XQ, WeEn Semiconductors tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky diyottur. 650V ters voltaj ve 10A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-2 Full Pack izole tab pakajında sunulan bu bileşen, 1.7V ileri voltajı ile verimli güç dönüşümü sağlar. Sıfır reverse recovery time (trr: 0 ns) özelliği sayesinde anahtarlama kaybı minimize edilir. 175°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Güç kaynakları, UPS sistemleri, endüstriyel konvertörler ve yüksek frekanslı düzeltici uygulamalarında tercih edilir. 310pF kapasitansi @ 1V, 1MHz ile hızlı anahtarlamaya uygunluk gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 310pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220F |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok